電刺激大腦特定區域可提高人類短時記憶

　　新華社北京2月10日電 美國一項新研究顯示，用低強度電流刺激大腦特定區域，可以增強人類的言語短時記憶。

　　由美國梅奧診所領銜的研究小組在新一期英國《腦》雜志上報告說，大腦中的海馬體、海馬新皮層、前額葉皮層和顳葉皮層是專門用於記憶事實性信息的區域，研究人員重點研究了電刺激對大腦中這4個區域的影響。

　　研究人員選取了22名經常會有記憶障礙問題的癲癇患者，並把所有患者按接受電刺激的大腦區域分成4組。研究人員首先要求患者逐個念出電腦屏幕上的一組單詞，並在此期間對患者大腦施加低強度電流刺激。隨后，讓患者嘗試回憶剛才看到的單詞。

　　結果發現，大腦外側顳葉皮層，即頭兩側太陽穴和耳朵邊的區域接受電刺激的４位患者能夠記住更多單詞，而其他大腦區域接受電刺激的患者則沒有表現出記憶力提升。

　　研究人員表示，這一發現有可能會促使新的電刺激設備出現，幫助治療記憶和認知缺陷。但他們也指出，這項研究仍存在一些局限性，例如某些治療疼痛及癲癇的藥物等對結果可能有影響。

　　研究合作者之一、梅奧診所的研究人員布倫特·貝裡指出，該研究項目接下來將繼續研究如何更好地應用電流刺激，例如確定施加電刺激的具體位置、時間控制及限制因素。