我国科学家开创第三类存储技术 写入速度比U盘快万倍【5】

　　 4月11日，复旦大学微电子学院教授周鹏教授在硅片上生长金属电极。（丁汀/新华社）

    近日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，写入速度比目前Ｕ盘快一万倍，数据存储时间也可自行决定。这解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。北京时间4月10日，相关成果在线发表于《自然·纳米技术》杂志。